G04P10HE
Symbol Micros:
TISP16DP10LMXTSA1 GO
Gehäuse: SOT223
MOSFET-Transistor; SOT-223; P-Kanal; YES ESD; 100V; 4A; 1.2W; 1.55V; 250mOhm ISP16DP10LM;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 250mOhm |
| Max. Drainstrom: | 4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,2W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | GOFORD |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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