IXFN360N10T

Symbol Micros: TIXFN360n10t

Gehäuse: SOT227B

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 2,6 mOhm; 360A; 830 W; -55 °C ~ 175 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	360A
Maximaler Leistungsverlust:	830W
Gehäuse:	SOT227B
Hersteller:	IXYS
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V

Hersteller: IXYS Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T Gehäuse: SOT227B

Externes Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	21,1707

Hersteller: LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T Gehäuse: SOT227B

Externes Lager:

400 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	24,1746

Hersteller: LITTELFUSE Hersteller-Teilenummer: IXFN360N10T Gehäuse: SOT227B

Externes Lager:

54 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	20,5144

Widerstand im offenen Kanal:	2,6mOhm
Max. Drainstrom:	360A
Maximaler Leistungsverlust:	830W
Gehäuse:	SOT227B
Hersteller:	IXYS
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Msx. Drain-Gate Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	Schrauben