IXTH120P065T

Symbol Micros: TIXTH120P065T
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Single P-Channel 65 V 10 mOhm 185 nC 298 W Silicon Flange Mount Mosfet
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 298W
Gehäuse: TO247
Hersteller: IXYS
Max. Drain-Source Spannung: 65V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-20
Anzahl Stück: 30
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 298W
Gehäuse: TO247
Hersteller: IXYS
Max. Drain-Source Spannung: 65V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT