IXTQ22N50P
Symbol Micros:
TIXTQ22n50p
Gehäuse: TO 3P
Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 22A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | IXYS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 270mOhm |
| Max. Drainstrom: | 22A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | IXYS |
| Max. Drain-Source Spannung: | 500V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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