JFAM20N60C JIAENSEMI

Symbol Micros: TJFAM20n60c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Transistor N-Kanal MOSFET; 600V; 30V; 500mOhm; 20A; 272W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 272W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: JIAENSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: JIAENSEMI Hersteller-Teilenummer: JFAM20N60C RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6223 1,2030 1,0276 0,9934 0,9547
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Standard-Verpackung:
30/60
Widerstand im offenen Kanal: 500mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 272W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: JIAENSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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