JMSH0805AE-13 JIEJIE

Symbol Micros: TJMSH0805AE-13 JJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263
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N-MOSFET-Transistor; 85V; 20V; 5mOhm; 121A; 130 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 121A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 85V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Jiejie Microelectronics Hersteller-Teilenummer: JMSH0805AE-13 RoHS Gehäuse: TO263/3  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1181 0,7815 0,6426 0,5979 0,5885
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 5mOhm
Max. Drainstrom: 121A
Maximaler Leistungsverlust: 130W
Gehäuse: TO263
Hersteller: Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung: 85V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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