JMTP170C04D JIEJIE

Symbol Micros: TJMTP170C04D JJ

Gehäuse: SOP08

N/P-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 27mOhm/62mOhm; 10A; 7,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	7,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	62mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	7,5W
Gehäuse:	SOP08
Hersteller:	Jiangsu JieJie Microelectronics
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD