JNG15T65FS1 JIAENSEMI
Symbol Micros:
TJNG15t65fs1
Gehäuse: TO220iso
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 30A; 45A; 28W; 4,5V~6,5V; 40,7nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 40,7nC |
| Maximale Verlustleistung: | 28W |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Gate-Ladung: | 40,7nC |
| Maximale Verlustleistung: | 28W |
| Max. Kollektor-Strom: | 30A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 45A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate - Emitter Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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