JNG20T60FS JIAENSEMI
Symbol Micros:
TJNG20t60fs
Gehäuse: TO220iso
IGBT-Transistor ; 600V; 30V; 40A; 60A; 40W; 4,5V~6,5V; 62nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 40W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Gate-Ladung: | 62nC |
| Maximale Verlustleistung: | 40W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,5V ~ 6,5V |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 600V |
| Gate - Emitter Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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