JNG20T65KS JIAENSEMI
Symbol Micros:
TJNG20t65ks
Gehäuse: TO263
IGBT-Transistor ; 650V; 30V; 40A; 60A; 139W; 5,1V~6,9V; 271nC; -55°C~150°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 271nC |
| Maximale Verlustleistung: | 139W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,9V |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Gate-Ladung: | 271nC |
| Maximale Verlustleistung: | 139W |
| Max. Kollektor-Strom: | 40A |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 60A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 5,1V ~ 6,9V |
| Gehäuse: | TO263 |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 650V |
| Gate - Emitter Spannung: | 30V |
| Montage: | SMD |
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