JNG25T120HS JIAENSEMI

Symbol Micros: TJNG25t120hs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 50A; 75A; 275W; 4,5V~6,5V; 200nC; -40°C~155°C;
Parameter
Gate-Ladung: 200nC
Maximale Verlustleistung: 275W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: JIAENSEMI
Hersteller: JIAENSEMI Hersteller-Teilenummer: JNG25T120HS RoHS Gehäuse: TO247 Datenblatt
Auf Lager:
60 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 60+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,7934 1,3304 1,1353 1,1000 1,0554
Standard-Verpackung:
30/60
Gate-Ladung: 200nC
Maximale Verlustleistung: 275W
Max. Kollektor-Strom: 50A
Max. Kollektor-Strom im Impuls: 75A
Vorwärtsspannung [Vgeth]: 4,5V ~ 6,5V
Gehäuse: TO247
Hersteller: JIAENSEMI
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 155°C
Kollektor-Emitter-Spannung: 1200V
Gate - Emitter Spannung: 30V
Montage: THT