JNG40T120HS JIAENSEMI
Symbol Micros:
TJNG40t120hs
Gehäuse: TO247
IGBT-Transistor ; 1200V; 30V; 80A; 120A; 300W; 4V~6V; 107nC; -55°C~155°C;
Parameter
| Gate-Ladung: | 107nC |
| Maximale Verlustleistung: | 300W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Gate-Ladung: | 107nC |
| Maximale Verlustleistung: | 300W |
| Max. Kollektor-Strom im Impuls: | 120A |
| Max. Kollektor-Strom: | 80A |
| Vorwärtsspannung [Vgeth]: | 4,0V ~ 6,0V |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | JIAENSEMI |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 155°C |
| Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200V |
| Gate - Emitter Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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