KSC2690AYSTU

Symbol Micros: TKSC2690aystu
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Transistor GP BJT NPN 160V 1.2A 1200mW 3-Pin(3+Tab) TO-126
Parameter
Verlustleistung: 1,2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 320
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 155MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-12-31
Anzahl Stück: 300
Verlustleistung: 1,2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 320
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 155MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole