LGE2300

Symbol Micros: TLGE2300
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; 20V; 12V; 32mOhm; 4A; 1,25 W; -50 °C ~ 155 °C; Äquivalent: LGE2300-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE2300 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1295 0,0593 0,0322 0,0242 0,0216
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 32mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 1,25W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -50°C ~ 155°C
Montage: SMD

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