LGE2301

Symbol Micros: TLGE2301
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; -20V; 12V; 140 mOhm; -3A; 1W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: LGE2301-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: -3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE2301 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
1740 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1252 0,0574 0,0312 0,0235 0,0209
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 140mOhm
Max. Drainstrom: -3A
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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