LGE2305

Symbol Micros: TLGE2305

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: LGE2305-LGE;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	-4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	-20V
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE2305 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

9500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1629	0,0775	0,0435	0,0330	0,0296

Widerstand im offenen Kanal:	75mOhm
Max. Drainstrom:	-4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,7W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	-20V
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD