LGE2305

Symbol Micros: TLGE2305
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; unipolar; -20V; 8V; 75mOhm; -4,1A; 1,7 W; -55 °C ~ 155 °C; Äquivalent: LGE2305-LGE;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: -4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: LGE2305 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1942 0,0923 0,0520 0,0394 0,0353
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: SI2305 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2975 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2975+
Nettopreis (EUR) 0,1942 0,0923 0,0520 0,0394 0,0353
Standard-Verpackung:
2975
Widerstand im offenen Kanal: 75mOhm
Max. Drainstrom: -4,1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,7W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: -20V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD