LGE2308

Symbol Micros: TLGE2308

Gehäuse: SOT23

60V 4A 1.66W 3V@250uA 1 N-Kanal SOT-23 MOSFETs ROHS Ersatz: RC2310A; MOT2310B2; LGE2308; YFW3N06; TSM2308CX RFG;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD