LGE350N04 SOT23 LGE
Symbol Micros:
TLGE350N04
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 60mOhm; 6,3A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Ähnlich: YJL05N04A; YJL05N04A-F2-0000HF; SI2318A-TP;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: LGE350N04 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1506 | 0,0715 | 0,0401 | 0,0306 | 0,0274 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 6,3A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | LGE |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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