LND150N8-G Microchip

Symbol Micros: TLND150n8g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 20V; 1000 Ohm; 30mA; 1,6 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1000Ohm
Max. Drainstrom: 30mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: LND150N8-G Gehäuse: SOT89  
Externes Lager:
114000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3596
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1000Ohm
Max. Drainstrom: 30mA
Maximaler Leistungsverlust: 1,6W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: Supertex
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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