MBT3904DW1T1G

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS LRC LMBT3904DW1T1G;
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200mW
Hersteller: FUXINSEMI
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SOT363
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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