MBT3904DW1T1G

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g c
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Gehäuse: SOT363
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40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
         
 
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Geplantes Datum:
2025-06-20
Anzahl Stück: 3000

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