MBT3904DW1T1G

Symbol Micros: TMBT3904dw1t1g FUX
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
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40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS 40V 200mW 300@10mA,1V 200mA 2 NPN SOT-363 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: FUXINSEMI
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: FUXINSEMI Hersteller-Teilenummer: MBT3904DW1T1G RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0821 0,0322 0,0189 0,0138 0,0126
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: FUXINSEMI
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 300MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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