MBT3906DW1T1G ONSemiconductor
Symbol Micros:
TMBT3906dw1t1g
Gehäuse: SC-88
2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz 2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: | 150mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SC-88 |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G A2. RoHS
Gehäuse: SC-88 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2890 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1200 | 0,0550 | 0,0300 | 0,0224 | 0,0200 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
36000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0200 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G
Gehäuse: SC-88
Externes Lager:
96000 stk.
Anzahl Stück | 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0200 |
Verlustleistung: | 150mW |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Stromverstärkungsfaktor: | 300 |
Gehäuse: | SC-88 |
Grenzfrequenz: | 250MHz |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 200mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | 2xPNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole