MBT3906DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMBT3906dw1t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
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2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz 2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SC-88
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G A2. RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2890 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1212 0,0555 0,0303 0,0226 0,0202
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G Gehäuse: SC-88  
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0202
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G Gehäuse: SC-88  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0202
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 300
Gehäuse: SC-88
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

Symbol Micros

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