MBT3906DW1T1G ONSemiconductor

Symbol Micros: TMBT3906dw1t1g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
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2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz 2PNP 40V 0.2A 150mW 250MHz
Parameter
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MBT3906DW1T1G A2. RoHS Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2890 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1196 0,0548 0,0298 0,0223 0,0199
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 150mW
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: SC-88
Stromverstärkungsfaktor: 300
Grenzfrequenz: 250MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xPNP

Symbol Micros

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