MJ11015

Symbol Micros: TMJ11015
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
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darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz
Parameter
Verlustleistung: 200W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 200W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO 3
Stromverstärkungsfaktor: 1000
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 200°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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