MJ11015

Symbol Micros: TMJ11015

Gehäuse: TO 3

darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz darl.PNP 30A 120V 200W 4MHz

Parameter

Verlustleistung:	200W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,5125

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

102 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	7,3710

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11015G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	4,1814

Verlustleistung:	200W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	PNP