MJ11015 TO3

Symbol Micros: TMJ11015 c

Gehäuse: TO 3

Transistor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; -55°C ~ 200°C; Transistor PNP; 1000; 200W; 120V; 30A; -55°C ~ 200°C;

Parameter

Verlustleistung:	200W
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	PNP

Hersteller: PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: MJ11015 RoHS Gehäuse: TO 3

Auf Lager:

16 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9498	1,5551	1,3306	1,1959	1,1462

Hersteller: import Hersteller-Teilenummer: MJ11015 RoHS Gehäuse: TO 3

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9498	1,5551	1,3306	1,1959	1,1462

Verlustleistung:	200W
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	PNP