MJ11016 ONS

Symbol Micros: TMJ11016

Gehäuse: TO 3

darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz darl.NPN 30A 120V 200W 4MHz

Parameter

Verlustleistung:	200W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	4MHz
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11016G RoHS Gehäuse: TO 3 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	6,8068	6,2696	5,9413	5,7747	5,6715

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11016G RoHS Gehäuse: TO 3 Datenblatt

Auf Lager:

9 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	39+	117+
Nettopreis (EUR)	6,8068	6,2696	5,9413	5,7466	5,6621

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11016G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,6715

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11016G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	5,6715

Verlustleistung:	200W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Grenzfrequenz:	4MHz
Stromverstärkungsfaktor:	1000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	30A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN