MJ11032G

Symbol Micros: TMJ11032
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
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NPN 120V 30A 300W NPN 120V 30A 300W
Parameter
Verlustleistung: 300W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 18000
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 50A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 200°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 300W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 18000
Gehäuse: TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]: 50A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 120V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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