MJ11032G

Symbol Micros: TMJ11032

Gehäuse: TO 3

NPN 120V 30A 300W NPN 120V 30A 300W

Parameter

Verlustleistung:	300W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	18000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	50A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11032G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

300 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	7,8562

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJ11032G Gehäuse: TO 3

Externes Lager:

600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	7,2545

Verlustleistung:	300W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	18000
Gehäuse:	TO 3
Max. Kollektor-Strom [A]:	50A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	120V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 200°C
Transistor-Typ:	NPN