MJ15003G

Symbol Micros: TMJ15003 ons
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3
Transistor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C; Transistor NPN; 150; 250W; 140V; 20A; 2MHz; -65°C ~ 200°C;
Parameter
Verlustleistung: 250W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: TO 3
Grenzfrequenz: 2MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 20A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJ15003G RoHS Gehäuse: TO 3 Datenblatt
Auf Lager:
58 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 7,3047 6,8619 6,5849 6,4428 6,3529
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJ15003G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 10,0217
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJ15003G Gehäuse: TO 3  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 6,3529
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 250W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 150
Gehäuse: TO 3
Grenzfrequenz: 2MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 20A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 140V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 200°C
Transistor-Typ: NPN