MJD127

Symbol Micros: TMJD127

Gehäuse: TO252

PNP 8A 100V 20W PNP 8A 100V 20W

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Gehäuse:	TO252
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) t/r

Auf Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4186	0,2301	0,1811	0,1677	0,1607

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: MJD127T4 RoHS Gehäuse: TO252t/r

Auf Lager:

890 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4186	0,2301	0,1811	0,1677	0,1607

Verlustleistung:	1,75W
Gehäuse:	TO252
Stromverstärkungsfaktor:	12000
Grenzfrequenz:	4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3191	0,2091	0,1501	0,1286	0,1223