MJD127
Symbol Micros:
TMJD127 LGE
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Transistor: PNP; Bipolar; Darlington; 100V; 8A; 1.5W; TO252 MJD127-LGE
Parameter
| Verlustleistung: | 1,5W |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 12000 |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 1,5W |
| Hersteller: | LGE |
| Stromverstärkungsfaktor: | 12000 |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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