MJD31C CDIL

Symbol Micros: TMJD31c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
Darl. NPN 3A 100V 1.56W Darl. NPN 3A 100V 1.56W
Parameter
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MJD31C RoHS Gehäuse: TO252 Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3620 0,2013 0,1587 0,1443 0,1396
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 1,25W
Hersteller: LGE
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: TO252
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN