MJD32C
Symbol Micros:
TMJD32c
Gehäuse: TO252
Darl. PNP 3A 100V 15W Darl. PNP 3A 100V 15W
Parameter
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD32CT4
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
345000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0892 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: MJD32CT4
Gehäuse: TO252
Externes Lager:
70000 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1036 |
| Verlustleistung: | 1,56W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Grenzfrequenz: | 3MHz |
| Gehäuse: | TO252 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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