MJD32CAJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD32CAJ

Gehäuse: DPAK

Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK

Parameter

Verlustleistung:	1,6W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	Nexperia
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Verlustleistung:	1,6W
Grenzfrequenz:	3MHz
Stromverstärkungsfaktor:	50
Hersteller:	Nexperia
Gehäuse:	DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP