MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD32CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Stromverstärkungsfaktor: 50
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD32CJ RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4784 0,2650 0,2092 0,1972 0,1909
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: MJD32CJ Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1909
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Stromverstärkungsfaktor: 50
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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