MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD32CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Zu favoriten hinzufügen
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 50
Grenzfrequenz: 3MHz
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD32CJ RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4805 0,2662 0,2101 0,1981 0,1917
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 50
Grenzfrequenz: 3MHz
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole