MJD32CJ DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD32CJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 100V 3A 3MHz 1.6W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: DPAK
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD32CJ RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 15+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4817 0,2668 0,2106 0,1986 0,1922
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 1,6W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 50
Gehäuse: DPAK
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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