MJD44H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD44H11J
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 8A 160MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: DPAK
Grenzfrequenz: 160MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD44H11J RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7052 0,4457 0,3514 0,3207 0,3066
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: Nexperia
Stromverstärkungsfaktor: 60
Gehäuse: DPAK
Grenzfrequenz: 160MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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