MJD45H11G

Name: TMJD45h11 TMJD45h11
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMJD45h11
Price: 0.5414 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD45h11

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

315 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	1,1369	0,7532	0,6214	0,5673	0,5414

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11RLG Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

3600 stk.

Anzahl Stück	1800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5414

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

11250 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5414

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP