MJD45H11G

Name: TMJD45h11 TMJD45h11
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TMJD45h11
Price: 0.5377 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMJD45h11

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C;

Parameter

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11G RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) Datenblatt

Auf Lager:

365 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	75+	300+
Nettopreis (EUR)	1,1291	0,7481	0,6172	0,5634	0,5377

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11RLG Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

23400 stk.

Anzahl Stück	1800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5377

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11RLG Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

12600 stk.

Anzahl Stück	1800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5377

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11G Gehäuse: TO252 (DPACK)

Externes Lager:

525 stk.

Anzahl Stück	375+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5377

Verlustleistung:	1,75W
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor:	60
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Grenzfrequenz:	90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP