MJD45H11G

Symbol Micros: TMJD45h11
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPAK)
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Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C; Transistor PNP; 60; 1,75W; 80V; 8A; 90MHz; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJD45H11G RoHS Gehäuse: TO252 (DPAK) Datenblatt
Auf Lager:
365 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 75+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,1257 0,7458 0,6153 0,5617 0,5361
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Standard-Verpackung:
75/300
Verlustleistung: 1,75W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Stromverstärkungsfaktor: 60
Grenzfrequenz: 90MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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