MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA
Symbol Micros:
TMJD45H11J
Gehäuse: DPAK
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Parameter
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Hersteller: | Nexperia |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | DPAK |
| Grenzfrequenz: | 80MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Verlustleistung: | 1,75W |
| Hersteller: | Nexperia |
| Stromverstärkungsfaktor: | 60 |
| Gehäuse: | DPAK |
| Grenzfrequenz: | 80MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 8A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole