MJD45H11J DPAK(SOT428C) NEXPERIA

Symbol Micros: TMJD45H11J
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 80MHz 1.75W Surface Mount DPAK
Parameter
Verlustleistung: 1,75W
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: MJD45H11J RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
47 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6156 0,3865 0,3197 0,2863 0,2672
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 1,75W
Grenzfrequenz: 80MHz
Stromverstärkungsfaktor: 60
Hersteller: Nexperia
Gehäuse: DPAK
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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