FJP13009

Symbol Micros: TMJE13009 fai
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 12A 400V 2W 4MHz NPN 12A 400V 2W 4MHz
Parameter
Verlustleistung: 100W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 28
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
159 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 150+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,6971 1,2593 1,0475 1,0121 0,9980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/150
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9980
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 100W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 28
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 4MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole