FJP13009
Symbol Micros:
TMJE13009 fai
Gehäuse: TO220
NPN 12A 400V 2W 4MHz NPN 12A 400V 2W 4MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 100W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 28 |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 12A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 400V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
69 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6863 | 1,2500 | 1,0413 | 1,0061 | 0,9921 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9921 |
| Verlustleistung: | 100W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Gehäuse: | TO220 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 28 |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 12A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 400V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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