FJP13009
Symbol Micros:
TMJE13009 fai
Gehäuse: TO220
NPN 12A 400V 2W 4MHz NPN 12A 400V 2W 4MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 100W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 28 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 12A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 400V |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
294 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 150+ | 300+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,6515 | 1,2257 | 1,0187 | 0,9857 | 0,9716 |
Hersteller: ON-Semiconductor
Hersteller-Teilenummer: FJP13009H2TU
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9716 |
| Verlustleistung: | 100W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 28 |
| Gehäuse: | TO220 |
| Grenzfrequenz: | 4MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 12A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 400V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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