MJE13009 OTOMO

Symbol Micros: TMJE13009 OTO
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN-Transistor; 35; 120W; 400V; 12A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: MJE13009G; ST13009; PHE13009,127; TS13009CZ; FJP13009TU;
Parameter
Verlustleistung: 120W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 35
Hersteller: OTOMO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Hersteller: OTOMO Hersteller-Teilenummer: MJE13009 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7321 0,4638 0,3649 0,3319 0,3178
Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 120W
Grenzfrequenz: 4MHz
Stromverstärkungsfaktor: 35
Hersteller: OTOMO
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN