MJE15035G

Symbol Micros: TMJE15035
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Gehäuse: TO220AB
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Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB Transistor : PNP; Bipolar; 350V; 4A; 50W; TO220AB
Parameter
Verlustleistung: 50W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: TO220AB
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 350V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE15035G Gehäuse: TO220AB  
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663 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,6054
Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 50W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: TO220AB
Grenzfrequenz: 30MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 350V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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