MJE18008 TO220AB

Symbol Micros: TMJE18008
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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NPN 8A 450V NPN 8A 450V
Parameter
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Grenzfrequenz: 13MHz
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE18008G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7856 1,4238 1,2194 1,0948 1,0502
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Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Grenzfrequenz: 13MHz
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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