MJE18008 TO220AB

Symbol Micros: TMJE18008
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN 8A 450V NPN 8A 450V
Parameter
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Grenzfrequenz: 13MHz
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE18008G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7901 1,4274 1,2225 1,0976 1,0529
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50/200
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Grenzfrequenz: 13MHz
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole