MJE18008 TO220AB

Symbol Micros: TMJE18008
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN 8A 450V NPN 8A 450V
Parameter
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 13MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE18008G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7889 1,4264 1,2216 1,0969 1,0522
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE18008G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,0546
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 125W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 34
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 13MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN