MJE5742G

Symbol Micros: TMJE5742g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN 8A 400V Darlington NPN 8A 400V Darlington
Parameter
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE5742G RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 3+ 5+ 10+
Nettopreis (EUR) 1,8351 1,4965 1,3544 1,2147 1,0797
Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE5742G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1300 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,0797
Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 2W
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 400V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN