MMBF0201NLT1G

Symbol Micros: TMMBF0201n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,4 Ohm; 300mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2213 0,1224 0,0813 0,0679 0,0632
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0632
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0632
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD