MMBF0201NLT1G
Symbol Micros:
TMMBF0201n
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET-Transistor; 20V; 20V; 1,4 Ohm; 300mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-3 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
2900 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2213 | 0,1224 | 0,0813 | 0,0679 | 0,0632 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0632 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF0201NLT1G
Gehäuse: SOT23-3
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0632 |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,4Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
Gehäuse: | SOT23-3 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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