MMBF170-7-F

Symbol Micros: TMMBF170-7-F Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBF170-13-F;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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