TMMBF170 c

Symbol Micros: TMMBF170 c

Gehäuse: SOT23

Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 300mW; -55°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	500mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: MMBF170 RoHS Gehäuse: SOT23t/r

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1460	0,0694	0,0391	0,0296	0,0265

Widerstand im offenen Kanal:	5Ohm
Max. Drainstrom:	500mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	10V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD