MMBF170 ONS
Symbol Micros:
TMMBF170lt1
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: MMBF170; MMBF170LT1G; MMBF170-7-F; MMBF170LT3G (10.000 Stück/T&R);
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole