MMBF4391LT1G

Symbol Micros: TMMBF4391
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-JFET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 30 Ohm; 150mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2555 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2730 0,1443 0,1120 0,1032 0,0990
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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