MMBF4391LT1G

Symbol Micros: TMMBF4391
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Gehäuse: SOT23-3
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N-JFET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 30 Ohm; 150mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2555 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2699 0,1427 0,1108 0,1021 0,0979
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4391LT1G Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
2600 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0979
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30Ohm
Max. Drainstrom: 150mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Msx. Drain-Gate Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-JFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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