MMBF4392LT1G

Name: TMMBF4392 TMMBF4392
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TMMBF4392
Price: 0.1055 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TMMBF4392

Gehäuse: SOT23-3

N-JFET-Transistor; 30V; 30V; 30V; 60Ohm; 50mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60Ohm
Max. Drainstrom:	50mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4392LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2980 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2890	0,1539	0,1193	0,1102	0,1055

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4392LT1G Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

171000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1055

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF4392LT1G Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

96000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1055

Widerstand im offenen Kanal:	60Ohm
Max. Drainstrom:	50mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Msx. Drain-Gate Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD