MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 40V; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	40V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 RoHS 66A... Gehäuse: SOT23-3 t/r

Auf Lager:

155 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2626	0,1677	0,1176	0,1022	0,0956

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0956

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0956

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

879000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1235

Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-JFET
Max. Gate-Source Spannung:	40V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD