MMBF5103

Symbol Micros: TMMBF5103
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 40V; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
155 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2642 0,1683 0,1180 0,1025 0,0959
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Standard-Verpackung:
200
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
99000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0959
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBF5103 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
8100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1280
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Msx. Drain-Gate Spannung: 40V
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-JFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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