MMBF5485
Symbol Micros:
TMMBF5485
Gehäuse: SOT23
N-Channel RF Amplifier 25V 10mA Vgsoff -0,5...-4,0V
Parameter
| Max. Drainstrom: | 10mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF5485 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ | 800+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2825 | 0,1794 | 0,1255 | 0,1090 | 0,1024 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF5485
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1024 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MMBF5485
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
3500 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1024 |
| Max. Drainstrom: | 10mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 225mW |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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