MMBFJ108

Symbol Micros: TMMBFJ108
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 10mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Max. Gate-Source Spannung: 24V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MMBFJ108 Gehäuse: SOT23  
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Nettopreis (EUR) 0,1340
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 8Ohm
Max. Drainstrom: 10mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ONSEMI
Msx. Drain-Gate Spannung: 25V
Max. Gate-Source Spannung: 24V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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